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MOSFET Infineon, canale N, 6 mΩ, 120 A, TO-220AB, Su foro


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N. Articolo:
     3369E-6886914
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     IRFB3307ZPBF
EAN/GTIN:
     5059045587378
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
MOSFET per raddrizzatore sincrono c.a.-c.c. e controllo di motori, Infineon. MOSFET per controllo di motori. Infineon offre una gamma completa di dispositivi MOSFET robusti a canale N e a canale P per le applicazioni di controllo motori. MOSFET raddrizzatore sincrono. La gamma di dispositivi MOSFET a raddrizzamento sincrono per alimentatori c.a.-c.c. supporta le richieste dei clienti in merito a sistemi con una maggiore densità di potenza, dimensioni ridotte, maggiore portabilità e flessibilità.
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
120 A
Tensione massima drain source:
75 V
Tipo di package:
TO-220AB
Serie:
HEXFET
Tipo di montaggio:
Su foro
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
6 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
4V
Tensione di soglia gate minima:
2V
Dissipazione di potenza massima:
230 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
-20 V, +20 V
Lunghezza:
10.66mm
Altri termini di ricerca: MOSFET di potenza, Transistor di potenza, MOSFET, Transistori, Transistore, transistor a effetto campo, 6886914, Semiconduttori, Discreti, Infineon, IRFB3307ZPBF
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