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Transistor a effetto campo
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Articolo
MOSFET Infineon, canale N, 8 mΩ, 79 A, TO-220AB, Su foro
Quantità:
pezzo
Informazioni sul prodotto:
icecat
Magazzino 3369
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N. Articolo:
3369E-6886800
Produttore:
Infineon
N. Art. Produtt.:
IRF1018EPBF
EAN/GTIN:
5059043016016
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
MOSFET per raddrizzatore sincrono c.a.-c.c. e controllo di motori, Infineon. MOSFET per controllo di motori. Infineon offre una gamma completa di dispositivi MOSFET robusti a canale N e a canale P per le applicazioni di controllo motori. MOSFET raddrizzatore sincrono. La gamma di dispositivi MOSFET a raddrizzamento sincrono per alimentatori c.a.-c.c. supporta le richieste dei clienti in merito a sistemi con una maggiore densità di potenza, dimensioni ridotte, maggiore portabilità e flessibilità.
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
79 A
Tensione massima drain source:
60 V
Tipo di package:
TO-220AB
Serie:
HEXFET
Tipo di montaggio:
Su foro
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
8 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
4V
Tensione di soglia gate minima:
2V
Dissipazione di potenza massima:
110 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
-20 V, +20 V
Lunghezza:
10.67mm
... >
Semiconduttori
>
Discreti
>
Mosfet
Altri termini di ricerca:
MOSFET di potenza
,
Transistor di potenza
,
MOSFET
,
Transistori
,
Transistore
,
transistor a effetto campo
,
6886800
,
Semiconduttori
,
Discreti
,
Infineon
,
IRF1018EPBF
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