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MOSFET Infineon, 211 A, PG-TO220-3, Montaggio superficiale


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N. Articolo:
     3369E-2583896
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     IPP65R041CFD7XKSA1
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
Corrente massima continuativa di drain = 211 A
Tensione massima drain source = 700 V
Tipo di package = PG-TO220-3
Tipo di montaggio = Montaggio superficiale
Altre informazioni:
Corrente massima continuativa di drain:
211 A
Tensione massima drain source:
700 V
Tipo di package:
PG-TO220-3
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, 2583896, Semiconduttori, Discreti, Infineon, IPP65R041CFD7XKSA1
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