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MOSFET Infineon, canale N, 3,9 A, ThinPAK 5 x 6, Montaggio superficiale


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N. Articolo:
     3369E-2408537
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     IPLK70R1K4P7ATMA1
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
Tipo di canale = N
Corrente massima continuativa di drain = 3,9 A
Tensione massima drain source = 700 V
Tipo di package = ThinPAK 5 x 6
Tipo di montaggio = Montaggio superficiale
Numero pin = 5
Numero di elementi per chip = 1
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
3,9 A
Tensione massima drain source:
700 V
Tipo di package:
ThinPAK 5 x 6
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
5
Numero di elementi per chip:
1
Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, 2408537, Semiconduttori, Discreti, Infineon, IPLK70R1K4P7ATMA1
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