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MOSFET Infineon, canale N, 0,034 Ω, 47 A, TO-247, Su foro


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-2320382
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     IMW65R027M1HXKSA1
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Tipo di canale = N
Corrente massima continuativa di drain = 47 A
Tensione massima drain source = 650 V
Serie = CoolSiC
Tipo di montaggio = Su foro
Numero pin = 3
Resistenza massima drain source = 0,034 Ω
Modalità del canale = Enhancement
Tensione di soglia gate massima = 5.7V
Materiale del transistor = Silicone
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
47 A
Tensione massima drain source:
650 V
Tipo di package:
TO-247
Serie:
CoolSiC
Tipo di montaggio:
Su foro
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
0,034 Ω
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
5.7V
Numero di elementi per chip:
1
Materiale del transistor:
Silicone
Altri termini di ricerca: Transistor di potenza, MOSFET, Transistori, Transistore, transistor a effetto campo, 2320382, Semiconduttori, Discreti, Infineon, IMW65R027M1HXKSA1
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Accessori
Modulo Driver gate 1ED3125MU12FXUMA1, CMOS, 10 A, 35V, PG-DSO-8, 8-Pin
Infineon
1ED3125MU12FXUMA1
a partire da € 0,905*
Accessori
Modulo Driver gate 1ED3890MC12MXUMA1, 9 A, 6.5V, PG-DSO-16, 16-Pin
Infineon
1ED3890MC12MXUMA1
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