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MOSFET Infineon, canale N, 30 m.Ω, 56 A, TO-247-4, Su foro


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-2224862
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     IMZ120R030M1HXKSA1
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
MOSFET SiC Infineon CoolSiC™ 1200 V, 30 mΩ in contenitore TO247-4 realizzato su un processo semiconduttore trench allavanguardia ottimizzato per combinare prestazioni e affidabilità. Rispetto ai tradizionali interruttori basati su silicio (si) come IGBT e MOSFET, il MOSFET SiC offre una serie di vantaggi.Commutazione e perdite di conduzione migliori della categoria Tensione di soglia benchmark alta, Vth > 4 V. Tensione gate di spegnimento 0V per un gate drive facile e semplice Ampia gamma di tensione gate-source Diodo corpo robusto e a bassa perdita con valore nominale per la commutazione rigida
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
56 A
Tensione massima drain source:
1200 V
Tipo di package:
TO-247-4
Serie:
IMZ1
Tipo di montaggio:
Su foro
Numero pin:
4
Resistenza massima drain source:
30 m.Ω
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
4.5V
Numero di elementi per chip:
1
Materiale del transistor:
Si
Altri termini di ricerca: Transistor di potenza, MOSFET, Transistori, Transistore, transistor a effetto campo, 2224862, Semiconduttori, Discreti, Infineon, IMZ120R030M1HXKSA1
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Driver gate MOSFET 1ED3241MC12HXUMA1, CMOS, 18 A, 5V, PG-DSO-8-66, 8-Pin
Infineon
1ED3241MC12HXUMA1
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Accessori
Modulo Driver gate 1ED3125MU12FXUMA1, CMOS, 10 A, 35V, PG-DSO-8, 8-Pin
Infineon
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