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MOSFET Infineon, canale N, 60 m.Ω, 36 A, TO-247, Su foro


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N. Articolo:
     3369E-2224855
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     IMW120R060M1HXKSA1
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
MOSFET SiC Infineon CoolSiC™ 1200 V, 60 mΩ in contenitore TO247-3 basato su un processo semiconduttore trench-semiconduttore allavanguardia ottimizzato per combinare prestazioni e affidabilità. Rispetto ai tradizionali interruttori basati su silicio (si) come IGBT e MOSFET, il MOSFET SiC offre una serie di vantaggi.Commutazione e perdite di conduzione migliori della categoria Tensione di soglia benchmark alta, Vth > 4 V. Tensione gate di spegnimento 0V per un gate drive facile e semplice Ampia gamma di tensione gate-source Diodo corpo robusto e a bassa perdita con valore nominale per la commutazione rigida Perdite di commutazione di spegnimento indipendenti dalla temperatura
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
36 A
Tensione massima drain source:
1200 V
Tipo di package:
TO-247
Serie:
IMW1
Tipo di montaggio:
Su foro
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
60 m.Ω
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
4.5V
Numero di elementi per chip:
1
Materiale del transistor:
Si
Altri termini di ricerca: Transistor di potenza, MOSFET, Transistori, Transistore, transistor a effetto campo, 2224855, Semiconduttori, Discreti, Infineon, IMW120R060M1HXKSA1
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Driver gate MOSFET 1ED3241MC12HXUMA1, CMOS, 18 A, 5V, PG-DSO-8-66, 8-Pin
Infineon
1ED3241MC12HXUMA1
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Accessori
Modulo Driver gate 1ED3125MU12FXUMA1, CMOS, 10 A, 35V, PG-DSO-8, 8-Pin
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1ED3125MU12FXUMA1
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Accessori
Modulo Driver gate 1ED3491MC12MXUMA1, 9 A, 6.5V, PG-DSO-16, 16-Pin
Infineon
1ED3491MC12MXUMA1
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