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MOSFET Vishay, canale N, 0,004 Ω, 0,0052 Ω, 100 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale


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N. Articolo:
     3369E-2006787
Produttore:
     Vishay
N. Art. Produtt.:
     SQD50034EL_GE3
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
Vishay SQD50034EL_GE3 è un MOSFET a 175 °C 60V (D-S) a canale N per uso automobilistico.MOSFET di potenza TrenchFET® Contenitore con bassa resistenza termica 100 % Rg e collaudato UIS Qualifica AEC-Q101
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
100 A
Tensione massima drain source:
60 V
Tipo di package:
DPAK (TO-252)
Serie:
AEC-Q101, Automotive, TrenchFET®
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
0,004 Ω, 0,0052 Ω
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
2.5V
Numero di elementi per chip:
1
Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, 2006787, Semiconduttori, Discreti, Vishay, SQD50034EL_GE3
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