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MOSFET onsemi, canale N, 8,1 mΩ, 49 A, LFPAK, SOT-669, Montaggio superficiale


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-1952526
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     NTMYS8D0N04CTWG
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
Tipo di canale = N
Corrente massima continuativa di drain = 49 A
Tensione massima drain source = 40 V
Tipo di package = LFPAK, SOT-669
Tipo di montaggio = Montaggio superficiale
Numero pin = 4
Resistenza massima drain source = 8,1 mΩ
Modalità del canale = Enhancement
Tensione di soglia gate massima = 3.5V
Tensione di soglia gate minima = 2.5V
Dissipazione di potenza massima = 38 W
Configurazione transistor = Singolo
Tensione massima gate source = ±20 V
Massima temperatura operativa = +175 °Cmm
Tensione diretta del diodo = 1.2V
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
49 A
Tensione massima drain source:
40 V
Tipo di package:
LFPAK, SOT-669
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
4
Resistenza massima drain source:
8,1 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
3.5V
Tensione di soglia gate minima:
2.5V
Dissipazione di potenza massima:
38 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
±20 V
Lunghezza:
5mm
Massima temperatura operativa:
+175 °C
Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, 1952526, Semiconduttori, Discreti, onsemi, NTMYS8D0N04CTWG
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