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Transistori
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Transistor a effetto campo
>
Articolo
MOSFET Vishay, canale N, 235 mΩ, 17,4 A, TO247AC, Su foro
Quantità:
pezzo
Informazioni sul prodotto
N. Articolo:
3369E-1884876
Produttore:
Vishay
N. Art. Produtt.:
SIHG21N80AE-GE3
EAN/GTIN:
n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Serie E MOSFET di potenza.Bassa figura di merito (FOM) Ron x Qg Bassa capacità effettiva (Co(er)) Perdite di conduzione e commutazione ridotte APPLICAZIONI Alimentatori per server e telecomunicazioni Alimentatori modalità switching (SMPS) Correzione del fattore di potenza (PFC), alimentatori
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
17,4 A
Tensione massima drain source:
800 V
Tipo di package:
TO247AC
Tipo di montaggio:
Su foro
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
235 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
4V
Tensione di soglia gate minima:
2V
Dissipazione di potenza massima:
32 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
±30 V
Lunghezza:
15.87mm
Massima temperatura operativa:
+150 °C
... >
Semiconduttori
>
Discreti
>
Mosfet
Altri termini di ricerca:
MOSFET di potenza
,
Transistor di potenza
,
MOSFET
,
Transistori
,
Transistore
,
transistor a effetto campo
,
1884876
,
Semiconduttori
,
Discreti
,
Vishay
,
SIHG21N80AEGE3
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