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MOSFET onsemi, canale N, 110 mΩ, 2,4 A, SOT-23, Montaggio superficiale


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-1841305
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     NTR4170NT1G
EAN/GTIN:
     5059045350446
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
MOSFET di potenza a canale N, 30V, ON Semiconductor
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
2,4 A
Tensione massima drain source:
30 V
Tipo di package:
SOT-23
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
110 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
1.4V
Tensione di soglia gate minima:
0.6V
Dissipazione di potenza massima:
480 mW
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
±12 V
Lunghezza:
3.04mm
Massima temperatura operativa:
+150 °C
Altri termini di ricerca: Transistor di potenza, MOSFET, SMD transistor, Transistor SMD, Transistori, Transistore, transistor a effetto campo, 1841305, Semiconduttori, Discreti, onsemi, NTR4170NT1G
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