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MOSFET Vishay, canale N, 550 mΩ, 10 A, TO-220AB, Su foro


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N. Articolo:
     3369E-1780831
Produttore:
     Vishay
N. Art. Produtt.:
     IRF740APBF
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
MOSFET canale N, da 300V a 400V, Vishay Semiconductor
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
10 A
Tensione massima drain source:
400 V
Tipo di package:
TO-220AB
Tipo di montaggio:
Su foro
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
550 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate minima:
2V
Dissipazione di potenza massima:
125 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
-30 V, +30 V
Lunghezza:
10.41mm
Massima temperatura operativa:
+150 °C
Numero di elementi per chip:
1
Altri termini di ricerca: Transistor di potenza, MOSFET, Transistori, Transistore, transistor a effetto campo, 1780831, Semiconduttori, Discreti, Vishay, IRF740APBF
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