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MOSFET STMicroelectronics, canale N, 190 mΩ, 18 A, TO-247, Su foro


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N. Articolo:
     3369E-1687632
Produttore:
     ST Microelectronics
N. Art. Produtt.:
     STW24N60M2
EAN/GTIN:
     5059042338881
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
MDmesh™ a canale N serie M2, STMicroelectronics. Una gamma di MOSFET di potenza ad alta tensione di STMicroelecronics. Grazie alla carica di gate bassa e all'eccellente capacità di uscita, la serie MDmesh M2 è perfetta per l'uso in alimentatori switching risonanti (convertitori LLC).
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
18 A
Tensione massima drain source:
650 V
Tipo di package:
TO-247
Serie:
MDmesh M2
Tipo di montaggio:
Su foro
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
190 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
4V
Tensione di soglia gate minima:
2V
Dissipazione di potenza massima:
150 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
-25 V, +25 V
Lunghezza:
15.75mm
Altri termini di ricerca: Transistor di potenza, MOSFET, transistor a effetto campo, 1687632, Semiconduttori, Discreti, STMicroelectronics, STW24N60M2
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