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Raddrizzatore, diodi, transistori
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Transistori
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Transistor a effetto campo
>
Articolo
MOSFET STMicroelectronics, canale N, 42 mΩ, 66 A, TO-247, Su foro
Quantità:
pezzo
Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
3369E-1116487
Produttore:
ST Microelectronics
N. Art. Produtt.:
STW70N60DM2
EAN/GTIN:
5059042012057
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
MDmesh serie DM2 a canale N, STMicroelectronics. I MOSFET MDmesh DM2 offrono una bassa resistenza RDS(on) e, con il tempo di recupero inverso migliorato per garantire la massima efficienza, questa serie è ottimizzata per topologie ZVS full-bridge a sfasamento. Elevata capacità dV/dt per una maggiore affidabilità del sistema Qualifica AEC-Q101
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
66 A
Tensione massima drain source:
600 V
Tipo di package:
TO-247
Serie:
MDmesh DM2
Tipo di montaggio:
Su foro
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
42 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
5V
Tensione di soglia gate minima:
3V
Dissipazione di potenza massima:
446 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
-25 V, +25 V
Lunghezza:
15.75mm
... >
Semiconduttori
>
Discreti
>
Mosfet
Altri termini di ricerca:
Transistor di potenza
,
MOSFET
,
Transistori
,
Transistore
,
transistor a effetto campo
,
1116487
,
Semiconduttori
,
Discreti
,
STMicroelectronics
,
STW70N60DM2
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MULTICOMP PRO MC33268 HEATSINK TO218/220/247 5.6°C/W
Multicomp
MC33268
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DCA55T
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Accessori
Radiatore: stirato; TO218,TO247,TO248; L: 32mm; W: 20mm; H: 9mm; rame
Fischer Elektronik
FK245MI247V
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