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  Transistori  (2.225 offerte tra 5.317.905 articoli)

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DIODES INC. ADC114YUQ-7 TRANSISTORE RF, 50V, 0.1A, SOT-363 (1 offerta) 
Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Resistore R1 di Ingresso Base 10 kohm Resistore base-emettitore (R2) 47 kohm Numero di Pin 6 Pin Montaggio Transist...
Diodes
ADC114YUQ-7
a partire da € 0,2035*
per 5 pezzi
 
 pacchetto
Modulo transistor IGBT Infineon, VCE 600 V, IC 90 A, PG-TO220-3 (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 90 A Tensione massima collettore emitter = 600 V Tensione massima gate emitter = ±20V Dissipazione di potenza massima = 333 W Tipo di package = PG-TO220-3
Infineon
IGP50N60TXKSA1
a partire da € 2,63*
per pezzo
 
 pezzi
Modulo: IGBT; diodo/transistor; boost chopper; Urmax: 1,2kV; THT (1 offerta) 
Produttore: POWERSEM Corpo: ECO-PAC 2 Tensione invertita max.: 1,2kV Struttura del semiconduttore: diodo/transistor Tensione porta - emettitore: ±20V Corrente del collettore: 94A Corrente del colle...
Powersem
PSSI 100/12
a partire da € 35,35*
per pezzo
 
 pezzo
DIODES INC. ADC143TUQ-7 TRANSISTORE RF, 50V, 0.1A, SOT-363 (1 offerta) 
Gamma di prodotti - Resistore R1 di Ingresso Base 4.7 kohm Resistore base-emettitore (R2) - Numero di Pin 6 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Polarità Transistor NPN doppio Tem...
Diodes
ADC143TUQ-7
a partire da € 0,2585*
per 5 pezzi
 
 pacchetto
Modulo transistor IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 30 A, PG-TO220-3 (3 offerte) 
Corrente massima continuativa collettore = 30 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = ±20V Dissipazione di potenza massima = 105 W Tipo di package = PG-TO220-3
Infineon
IKP15N65H5XKSA1
a partire da € 1,014*
per pezzo
 
 pezzo
Modulo: IGBT; diodo/transistor; boost chopper; Urmax: 1,2kV; SMT (1 offerta) 
Attenzione! Il prodotto è in vendita solo per le quantità disponibili a magazzino. Nel caso di ordini per quantità superiori, questa sarà modificata portandola a quella disponibile. Produttore: IXY...
IXYS
IXA30RG1200DHGLB
a partire da € 7,08*
per pezzo
 
 pezzo
Infineon
BFP405FH6327XTSA1
a partire da € 0,52*
per 5 pezzi
 
 pacchetto
Modulo transistor IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 30 A, PG-TO220-3 (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 30 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = ±20V Dissipazione di potenza massima = 105 W Tipo di package = PG-TO220-3
Infineon
IKP15N65H5XKSA1
a partire da € 1,48*
per pezzo
 
 pezzi
Modulo: IGBT; diodo/transistor; buck chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 75A (1 offerta) 
Produttore: INFINEON TECHNOLOGIES Corpo: AG-ECONO3-3 Tensione invertita max.: 1,2kV Struttura del semiconduttore: diodo/transistor Tensione porta - emettitore: ±20V Corrente del collettore: 75A Cor...
Infineon
FP75R12KT4
a partire da € 208,19*
per pezzo
 
 pezzo
DIODES INC. DXTN22040CFGQ-7 TRANSISTORE BIPOLARE, 40V, 2A, 2.3W (2 offerte) 
Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 8 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Polarità Transistor NPN Frequenza di transiz...
Diodes
DXTN22040CFGQ-7
a partire da € 0,155*
per pezzo
 
 pezzo
Modulo transistor IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 40 A, PG-TO247-3 (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 40 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = 15V Dissipazione di potenza massima = 250 W Tipo di package = PG-TO247-3
Infineon
IKW40N65RH5XKSA1
a partire da € 111,3201*
per 30 pezzi
 
 pacchetto
Modulo: IGBT; transistor singolo; Urmax: 1,2kV; Ic: 29A; SOT227B (1 offerta) 
Produttore: MICROCHIP (MICROSEMI) Corpo: SOT227B Tensione invertita max.: 1,2kV Struttura del semiconduttore: transistor singolo Tensione porta - emettitore: ±30V Corrente del collettore: 29A Corre...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT35GP120J
a partire da € 35,67*
per pezzo
 
 pezzo
DIODES INC. DXTN22040DFGQ-7 TRANSISTORE BIPOLARE, 40V, 2A, 2.3W (2 offerte) 
Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 8 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Polarità Transistor NPN Frequenza di transiz...
Diodes
DXTN22040DFGQ-7
a partire da € 0,155*
per pezzo
 
 pezzo
Modulo transistor IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 40 A, PG-TO247-3 (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 40 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = 15V Dissipazione di potenza massima = 250 W Tipo di package = PG-TO247-3
Infineon
IKW40N65RH5XKSA1
a partire da € 4,182*
per pezzo
 
 pezzo
Modulo: IGBT; diodo/transistor; buck chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 75A (1 offerta) 
Produttore: MICROCHIP (MICROSEMI) Corpo: SOT227B Tensione invertita max.: 1,2kV Struttura del semiconduttore: diodo/transistor Tensione porta - emettitore: ±20V Corrente del collettore: 75A Corrent...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT75GT120JU3
a partire da € 37,43*
per pezzo
 
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