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Driver gate IGBT e MOSFET, half-bridge, Infineon. IC di controllo della resistenza di Infineon per controllare i dispositivi di potenza MOSFET o IGBT nelle configurazioni half-bridge.

MOSFET di potenza a canale N, 60V, ON Semiconductor

Tensione drain-source (Vds) canale N 20 V Corrente di drain continua (Id) canale P 845 mA Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 6 Pin Tensi...

Driver gate IGBT e MOSFET, high side e low side, Infineon. IC di controllo della resistenza di Infineon per controllare i dispositivi di potenza MOSFET o IGBT nelle configurazioni high side e low s...

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.155 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) - Numero di pin 4 Pin Montaggio Transistore montaggio s...

Tensione drain-source (Vds) canale N 20 V Corrente di drain continua (Id) canale P 870 mA Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 6 Pin Tensi...

Gamma Si826x di gate driver isolati, Silicon Laboratories. La gamma di Si826x Silicon Laboratories di driver isolati comprende retrofit drop-in con compatibilità di pin per comuni accoppiatori otti...

Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor TO-262 Tensione di test di Rds(on) 10 V Tipo di canale N Channel Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) Lead Numero di pin 3 Pin ...

Tensione di test di Rds(on) 4.5 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.007 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 3 Pin Montaggio Tra...

Driver gate IGBT e MOSFET, half-bridge, Infineon. IC di controllo della resistenza di Infineon per controllare i dispositivi di potenza MOSFET o IGBT nelle configurazioni half-bridge.

Tensione di soglia Gate-Source massima 4 V Stile di Case del Transistor TO-220 Livello di sensibilità all'umidità (MSL) - Corrente Continua di Drain Id 1.2 A Dissipazione di potenza 30 W Tensione D...

Tensione di test di Rds(on) 4.5 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.136 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 3 Pin Montaggio Tra...

Driver gate IGBT e MOSFET, half-bridge, Infineon. IC di controllo della resistenza di Infineon per controllare i dispositivi di potenza MOSFET o IGBT nelle configurazioni half-bridge.

Gamma di prodotti - Tensione di test di Rds(on) 10 V Montaggio Transistore Through Hole Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) Lead Tensione Drain Source Vds 60 V Numero di pin 3 Pin Tipo di can...

Tensione di test di Rds(on) 4.5 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.061 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 3 Pin Montaggio Tra...