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Tipo di canale = N Corrente massima continuativa di drain = 68 A Tensione massima drain source = 60 V Tipo di package = DirectFET isometrico Tipo di montaggio = Montaggio superficiale Numero pin = ...

Il design Infineon della tecnologia al silicio MOSFET di potenza HEXFET® con lAdvanced Direct FETTM per ottenere la resistenza in stato attivo più bassa in un contenitore con lingombro di UN PROFIL...

Tipo di canale = N Corrente massima continuativa di drain = 128 A Tensione massima drain source = 75 V Serie = HEXFET Tipo di montaggio = Montaggio superficiale Numero pin = 3 Resistenza massima dr...

Il MOSFET di potenza Infineon HEXFET utilizza le più recenti tecniche di elaborazione per ottenere una resistenza estremamente bassa allaccensione per area di silicio. Caratteristiche aggiuntive di...

Tipo di canale = N Corrente massima continuativa di drain = 93 A Tensione massima drain source = 20 V Serie = HEXFET Tipo di montaggio = Montaggio superficiale Numero pin = 3 Resistenza massima dra...

Tipo di canale = N Corrente massima continuativa di drain = 110 A Tensione massima drain source = 55 V Tipo di package = D2PAK (TO-263) Tipo di montaggio = Montaggio superficiale Numero pin = 3 Res...

Il design Infineon dei MOSFET di potenza HEXFET®, noti anche come transistor MOSFET, sta per transistor a effetto di campo di metallo ossido semiconduttore. I MOSFET sono dispositivi transistor con...

Tipo di canale = N Corrente massima continuativa di drain = 171 A Tensione massima drain source = 150 V Serie = HEXFET Tipo di montaggio = Su foro Numero pin = 3 Resistenza massima drain source = 0...

I MOSFET di potenza Infineon HEXFET utilizzano le più recenti tecniche di elaborazione per ottenere una resistenza estremamente bassa allaccensione per area di silicio. Caratteristiche aggiuntive d...

Tipo di canale = N Corrente massima continuativa di drain = 62 A Tensione massima drain source = 55 V Serie = HEXFET Tipo di montaggio = Montaggio superficiale Numero pin = 3 Resistenza massima dra...

Tipo di canale = N Corrente massima continuativa di drain = 81 A Tensione massima drain source = 20 V Tipo di package = DirectFET isometrico Tipo di montaggio = Montaggio superficiale Resistenza ma...

Il MOSFET di potenza Infineon HEXFET® ha una tensione di sorgente di drain massima di 80V in un contenitore DirectFET MZ con valore nominale di 55 ampere ottimizzato con bassa resistenza in stato a...

La serie Infineon HEXFET di quinta generazione di International Rectifier utilizza Advanced Processing Techniques per ottenere una resistenza estremamente bassa allaccensione per larea del silicio....

Tipo di canale = N Corrente massima continuativa di drain = 93 A Tensione massima drain source = 20 V Tipo di package = DPAK (TO-252) Tipo di montaggio = Montaggio superficiale Numero pin = 3 Resis...