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INFINEON F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1 MOSFET, 1.2KV, 100A, MODULO


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N. Articolo:
     8585-3994943
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
Tensione di test di Rds(on) 18 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0081 ohm Gamma di prodotti EasyPACK CoolsiC Series Numero di pin 32 Pin Configurazione modulo MOSFET Inverter a Tre Livelli Tipo di canale doppio canale N Corrente Continua di Drain Id 100 A Temperatura di esercizio max 125 °C Stile di Case del Transistor Module Tensione Drain Source Vds 1.2 kV Dissipazione di potenza 20 mW Tensione di soglia Gate-Source massima 4.3 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024)
Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Carburo, Discreti, Effetto, Moduli, Semiconduttori, Silicio,(SiC), Transistori, INFINEON, F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1, 3994943, 399-4943
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Driver gate MOSFET 1ED3122MC12HXUMA1, CMOS, 9 A, 3 → 15V, PG-DSO-8, 8-Pin
Infineon
1ED3122MC12HXUMA1
a partire da € 1,409*
Accessori
Driver gate MOSFET 1ED3241MC12HXUMA1, CMOS, 18 A, 5V, PG-DSO-8-66, 8-Pin
Infineon
1ED3241MC12HXUMA1
a partire da € 1,606*
Accessori
Modulo Driver gate 1ED3890MC12MXUMA1, 9 A, 6.5V, PG-DSO-16, 16-Pin
Infineon
1ED3890MC12MXUMA1
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