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Modulo MOSFET Infineon, canale N, 100 A, AG-EASY2B, Montaggio a vite


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-2500217
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
Tipo di canale = N
Corrente massima continuativa di drain = 100 A
Tensione massima drain source = 1200 V
Tipo di package = AG-EASY2B
Tipo di montaggio = Montaggio a vite
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
100 A
Tensione massima drain source:
1200 V
Tipo di package:
AG-EASY2B
Tipo di montaggio:
Montaggio a vite
Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, 2500217, Semiconduttori, Discreti, Infineon, F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1
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Accessori
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Prezzo
Accessori
Driver gate MOSFET 1ED3122MC12HXUMA1, CMOS, 9 A, 3 → 15V, PG-DSO-8, 8-Pin
Infineon
1ED3122MC12HXUMA1
a partire da € 1,419*
Accessori
Driver gate MOSFET 1ED3241MC12HXUMA1, CMOS, 18 A, 5V, PG-DSO-8-66, 8-Pin
Infineon
1ED3241MC12HXUMA1
a partire da € 1,596*
Accessori
Modulo Driver gate 1ED3890MC12MXUMA1, 9 A, 6.5V, PG-DSO-16, 16-Pin
Infineon
1ED3890MC12MXUMA1
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