TAIWAN SEMICONDUCTOR TQM150NB04DCR RLG MOSFET, DUAL, CANALE N, 40V, 39A PDFN56U

Tensione drain-source (Vds) canale N 40 V Corrente di drain continua (Id) canale P 39 A Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 8 Pin Tensione drain-source (Vds) canale P 40 V Corrente di drain continua (Id) canale N 39 A Resistenza RdsON canale N 0.0103 ohm Tipo di canale canale N Resistenza RdsON canale P 0.0103 ohm Dissipazione di potenza canale N 48 W Dissipazione di potenza canale P 48 W Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor PDFN56U Qualificazioni AEC-Q101 Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (17-Jan-2023)