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Transistor: N-MOSFET x2; unipolare; 40V; 9A; 16W; PDFN56U


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Informazioni sul prodotto
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N. Articolo:
     5068-TQM150NB04DCR-RLG
Produttore:
     Taiwan Semiconductor
N. Art. Produtt.:
     TQM150NB04DCR RLG
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Produttore: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Montaggio: SMD
Corpo: PDFN56U
Tensione drenaggio-fonte: 40V
Corrente di drenaggio: 9A
Resistenza nello stato di conduzione: 25,5mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET x2
Potenza dissipata: 16W
Polarizzazione: unipolare
Carico della porta: 18nC
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
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