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INFINEON BSC100N10NSFGATMA1 MOSFET, CAN N, 100V, 90A, 150°C, 156W


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Informazioni sul prodotto
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N. Articolo:
     8585-3155098
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     BSC100N10NSFGATMA1
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0077 ohm Gamma di prodotti OptiMOS 2 Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 8 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 90 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor TDSON Tensione Drain Source Vds 100 V Dissipazione di potenza 156 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 3 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024)
Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, INFINEON, BSC100N10NSFGATMA1, 3155098, 315-5098
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