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MOSFET Infineon, canale N, 8,6 mΩ, 100 A, TDSON, Montaggio superficiale


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N. Articolo:
     3369E-1787495
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     BSC070N10NS3GATMA1
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
MOSFET di potenza
Transistor di potenza
MOSFET di potenza Infineon OptiMOS™3, 100 V e superiori
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
100 A
Tensione massima drain source:
100 V
Tipo di package:
TDSON
Serie:
OptiMOS™ 3
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
8
Resistenza massima drain source:
8,6 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Dissipazione di potenza massima:
156 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
-20 V, +20 V
Lunghezza:
6.1mm
Massima temperatura operativa:
+150 °C
Numero di elementi per chip:
1
Altri termini di ricerca: MOSFET, transistor a effetto campo, 1787495, Semiconduttori, Discreti, Infineon, BSC070N10NS3GATMA1
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