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DIODES INC. ZXMP10A13FQTA MOSFET, AEC-Q101, CAN-P, -100V, -0.7A


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N. Articolo:
     8585-3127651
Produttore:
     Diodes
N. Art. Produtt.:
     ZXMP10A13FQTA
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 1 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale P Corrente Continua di Drain Id 700 mA Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor SOT-23 Tensione Drain Source Vds 100 V Dissipazione di potenza 806 mW Qualificazioni AEC-Q101 Tensione di soglia Gate-Source massima 4 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024)
Altri termini di ricerca: transistor di potenza, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, DIODES INC., ZXMP10A13FQTA, 3127651, 312-7651
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