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MOSFET DiodesZetex, canale P, 1 Ω, 700 mA, SOT-23, Montaggio superficiale


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N. Articolo:
     3369E-6697616
Produttore:
     Diodes
N. Art. Produtt.:
     ZXMP10A13FTA
EAN/GTIN:
     5059043959214
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
MOSFET a canale P, da 100 V a 450 V, Diodes Inc
Altre informazioni:
Tipo di canale:
P
Corrente massima continuativa di drain:
700 mA
Tensione massima drain source:
100 V
Tipo di package:
SOT-23
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
1 Ω
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
4V
Dissipazione di potenza massima:
806 mW
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
-20 V, +20 V
Lunghezza:
3.05mm
Massima temperatura operativa:
+150 °C
Numero di elementi per chip:
1
Altri termini di ricerca: transistor di potenza, 6697616, Semiconduttori, Discreti, DiodesZetex, ZXMP10A13FTA
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