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DIODES INC. DMG1013UWQ-7 MOSFET, AEC-Q101, CAN P, -20V, SOT-323


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N. Articolo:
     8585-3127311
Produttore:
     Diodes
N. Art. Produtt.:
     DMG1013UWQ-7
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Tensione di test di Rds(on) 4.5 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.5 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale P Corrente Continua di Drain Id 820 mA Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor SOT-323 Tensione Drain Source Vds 20 V Dissipazione di potenza 310 mW Qualificazioni AEC-Q101 Tensione di soglia Gate-Source massima 1 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024)
Altri termini di ricerca: transistor di potenza, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, DIODES INC., DMG1013UWQ-7, 3127311, 312-7311
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