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MOSFET DiodesZetex, canale P, 1,5 Ω, 820 mA, SOT-323, Montaggio superficiale


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-1219540
Produttore:
     Diodes
N. Art. Produtt.:
     DMG1013UW-7
EAN/GTIN:
     5059043269801
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
MOSFET a canale P, da 12 V a 25 V, Diodes Inc
Altre informazioni:
Tipo di canale:
P
Corrente massima continuativa di drain:
820 mA
Tensione massima drain source:
20 V
Tipo di package:
SOT-323
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
1,5 Ω
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
1V
Dissipazione di potenza massima:
310 mW
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
-6 V, +6 V
Lunghezza:
2.2mm
Massima temperatura operativa:
+150 °C
Numero di elementi per chip:
1
Altri termini di ricerca: transistor di potenza, 1219540, Semiconduttori, Discreti, DiodesZetex, DMG1013UW7
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