VISHAY SIHD2N80AE-GE3 MOSFET, CANALE N, 800V, 2,9A, 150°C

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 2.5 ohm Gamma di prodotti E Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 2.9 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor TO-252 (DPAK) Tensione Drain Source Vds 800 V Dissipazione di potenza 62.5 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 4 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) To Be Advised