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MOSFET Vishay, canale N, 2,9 Ω, 2,9 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale


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N. Articolo:
     3369E-1884874
Produttore:
     Vishay
N. Art. Produtt.:
     SIHD2N80AE-GE3
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Tipo di canale = N
Corrente massima continuativa di drain = 2,9 A
Tensione massima drain source = 800 V
Tipo di package = DPAK (TO-252)
Tipo di montaggio = Montaggio superficiale
Numero pin = 3
Resistenza massima drain source = 2,9 Ω
Modalità del canale = Enhancement
Tensione di soglia gate massima = 4V
Tensione di soglia gate minima = 2V
Dissipazione di potenza massima = 62,5 W
Configurazione transistor = Singolo
Tensione massima gate source = ±30 V
Larghezza = 6.22mm
Minima temperatura operativa = -55 °CV
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
2,9 A
Tensione massima drain source:
800 V
Tipo di package:
DPAK (TO-252)
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
2,9 Ω
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
4V
Tensione di soglia gate minima:
2V
Dissipazione di potenza massima:
62,5 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
±30 V
Lunghezza:
6.73mm
Massima temperatura operativa:
+150 °C
Altri termini di ricerca: MOSFET di potenza, Transistor di potenza, MOSFET, transistor a effetto campo, 1884874, Semiconduttori, Discreti, Vishay, SIHD2N80AEGE3
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