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STMICROELECTRONICS STW45N60DM6 MOSFET, CAN N, 600V, 30A, 150°C, 210W


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N. Articolo:
     8585-2987021
Produttore:
     ST Microelectronics
N. Art. Produtt.:
     STW45N60DM6
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.085 ohm Gamma di prodotti MDmesh DM6 Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore foro passante (THT) Tipo di canale canale N Temperatura di esercizio max 150 °C Corrente Continua di Drain Id 30 A Stile di Case del Transistor TO-247 Tensione Drain Source Vds 600 V Dissipazione di potenza 210 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 4 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024)
Altri termini di ricerca: Transistor di potenza, MOSFET, Transistori, Transistore, transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, STMICROELECTRONICS, STW45N60DM6, 2987021, 298-7021
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