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Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; unipolare; 600V; 19A; Idm: 95A


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Informazioni sul prodotto
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N. Articolo:
     5068-STW45N60DM6
Produttore:
     ST Microelectronics
N. Art. Produtt.:
     STW45N60DM6
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Produttore: STMicroelectronics
Montaggio: THT
Cassa: TO247
Tensione drenaggio-fonte: 600V
Corrente di drenaggio: 19A
Resistenza nello stato di conduzione: 99mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 210W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: tubo
Carico della porta: 44nC
Tecnologia: MDmesh™ DM6
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±25V
Corrente di drain pulsata: 95A
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