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VISHAY SIA433EDJ-T1-GE3 MOSFET, CAN P, -20V, -12A, POWERPAK SC70


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N. Articolo:
     8585-2679708
Produttore:
     Vishay
N. Art. Produtt.:
     SIA433EDJ-T1-GE3
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor IGBT
FET di giunzione
Tensione di test di Rds(on) 4.5 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.015 ohm Gamma di prodotti TrenchFET Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 6 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale P Corrente Continua di Drain Id 12 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor PowerPAK SC-70 Tensione Drain Source Vds 20 V Dissipazione di potenza 19 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 1.2 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (10-Jun-2022)
Altri termini di ricerca: Transistor, Transistor di potenza, MOSFET, Transistori, Transistore, mosfet 12a, transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, VISHAY, SIA433EDJ-T1-GE3, 2679708, 267-9708
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