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Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolare; -20V; -12A; Idm: -50A


Quantità:  pacchetto  
Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     5068-SIA433EDJ-T1-GE3
Produttore:
     Vishay
N. Art. Produtt.:
     SIA433EDJ-T1-GE3
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor IGBT
FET di giunzione
Produttore: VISHAY
Montaggio: SMD
Tensione drenaggio-fonte: -20V
Corrente di drenaggio: -12A
Resistenza nello stato di conduzione: 65mΩ
Tipo del transistor: P-MOSFET
Potenza dissipata: 19W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Carico della porta: 75nC
Tecnologia: TrenchFET®
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±12V
Corrente di drain pulsata: -50A
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