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STMICROELECTRONICS STH310N10F7-6 MOSFET, CA-N, 100V, 180A, H2PAK-6-7


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N. Articolo:
     8585-2629748
Produttore:
     ST Microelectronics
N. Art. Produtt.:
     STH310N10F7-6
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0019 ohm Gamma di prodotti STripFET Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 7 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 180 A Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor H2PAK-6 Tensione Drain Source Vds 100 V Dissipazione di potenza 315 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 3.5 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (17-Dec-2015)
Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, STMICROELECTRONICS, STH310N10F7-6, 2629748, 262-9748
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