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MOSFET STMicroelectronics, canale N, 2,3 mΩ, 180 A, H2PAK-6, Montaggio superficiale


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N. Articolo:
     3369E-1032006
Produttore:
     ST Microelectronics
N. Art. Produtt.:
     STH310N10F7-6
EAN/GTIN:
     5059042268089
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
STripFET™ a canale N, serie H7, STMicroelectronics. I MOSFET STripFET™ con gamma di tensione di scarica distruttiva offrono una carica di gate ultra-bassa e bassa resistenza all'accensione.
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
180 A
Tensione massima drain source:
100 V
Tipo di package:
H2PAK-6
Serie:
STripFET H7
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
7
Resistenza massima drain source:
2,3 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
4.5V
Tensione di soglia gate minima:
2.5V
Dissipazione di potenza massima:
315 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
-20 V, +20 V
Lunghezza:
15.25mm
Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, 1032006, Semiconduttori, Discreti, STMicroelectronics, STH310N10F76
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