Informazioni sul prodotto |  |
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| N. Articolo:
8585-2453393 N. Art. Produtt.:
FDB52N20TM EAN/GTIN:
n.d. |
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| Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.041 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 2 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 52 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor TO-263AB Tensione Drain Source Vds 200 V Dissipazione di potenza 357 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 5 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) Lead (14-Jun-2023) |
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| Altri termini di ricerca: Transistor di potenza, MOSFET, SMD transistor, Transistor SMD, transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, ONSEMI, FDB52N20TM, 2453393, 245-3393 |
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