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MOSFET onsemi, canale N, 49 mΩ, 52 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale


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N. Articolo:
     3369E-1662543
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     FDB52N20TM
EAN/GTIN:
     5059042042580
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
MOSFET a canale N in modalità potenziata, Fairchild Semiconductor. I transistor a effetto di campo in modalità potenziata (FET) vengono prodotti utilizzando la tecnologia DMOS a elevata densità cellulare brevettata da Fairchild. Questo processo ad alta densità è stato ideato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo e garantisce prestazioni solide e affidabili nonché una commutazione rapida.
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
52 A
Tensione massima drain source:
200 V
Tipo di package:
D2PAK (TO-263)
Serie:
UniFET
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
49 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate minima:
3V
Dissipazione di potenza massima:
357 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
-30 V, +30 V
Lunghezza:
9.98mm
Massima temperatura operativa:
+150 °C
Altri termini di ricerca: Transistor di potenza, MOSFET, SMD transistor, Transistor SMD, transistor a effetto campo, 1662543, Semiconduttori, Discreti, onsemi, FDB52N20TM
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