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TAIWAN SEMICONDUCTOR TSM1NB60CP ROG MOSFET, N, 600V, 0.5A, D-PAK


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N. Articolo:
     8585-2345414
Produttore:
     Taiwan Semiconductor
N. Art. Produtt.:
     TSM1NB60CP ROG
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 8 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) - Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 1 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor TO-252 (DPAK) Tensione Drain Source Vds 600 V Dissipazione di potenza 39 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 3.5 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (17-Jan-2023)
Altri termini di ricerca: Transistor di potenza, MOSFET, SMD transistor, Transistor SMD, transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, TAIWAN SEMICONDUCTOR, TSM1NB60CP ROG, 2345414, 234-5414
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