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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 600V; 700mA; 39W; DPAK


Quantità:  pezzo  
Informazioni sul prodotto
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 600V; 700mA; 39W; DPAK
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 600V; 700mA; 39W; DPAK
N. Articolo:
     5068-TSM1NB60CP-ROG
Produttore:
     Taiwan Semiconductor
N. Art. Produtt.:
     TSM1NB60CP ROG
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Produttore: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Montaggio: SMD
Corpo: DPAK
Tensione drenaggio-fonte: 600V
Corrente di drenaggio: 0,7A
Resistenza nello stato di conduzione: 10Ω
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 39W
Polarizzazione: unipolare
Carico della porta: 6,1nC
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±30V
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