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ONSEMI BSS138LT3G MOSFET, CANALE N, 50V, 0.2A, SOT-23


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N. Articolo:
     8585-2101819
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     BSS138LT3G
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Tensione di test di Rds(on) 2.75 V Resistenza Drain-Source in conduzione 5.6 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) - Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 200 mA Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor SOT-23 Tensione Drain Source Vds 50 V Dissipazione di potenza 225 mW Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 500 mV Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (14-Jun-2023)
Altri termini di ricerca: SMD transistor, Transistor SMD, smd transistor, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, ONSEMI, BSS138LT3G, 2101819, 210-1819
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IC: driver; semi ponte MOSFET; high-/low-side,gate driver; -2÷2A
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