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MOSFET onsemi, canale N, 3,5 Ω, 200 mA, SOT-23, Montaggio superficiale


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-6900136
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     BSS138LT3G
EAN/GTIN:
     5059042992199
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
MOSFET di potenza a canale N, 50 V, ON Semiconductor
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
200 mA
Tensione massima drain source:
50 V
Tipo di package:
SOT-23
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
3,5 Ω
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
1.5V
Tensione di soglia gate minima:
0.5V
Dissipazione di potenza massima:
225 mW
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
-20 V, +20 V
Lunghezza:
2.9mm
Massima temperatura operativa:
+150 °C
Altri termini di ricerca: SMD transistor, Transistor SMD, smd transistor, 6900136, Semiconduttori, Discreti, onsemi, BSS138LT3G
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IR2110SPBF
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