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TAIWAN SEMICONDUCTOR TSM2314CX RFG MOSFET,CANALE N,20V,4.9A,SOT23


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N. Articolo:
     8585-1864589
Produttore:
     Taiwan Semiconductor
N. Art. Produtt.:
     TSM2314CX RFG
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Tensione di test di Rds(on) 4.5 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.027 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) - Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 4.9 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor SOT-23 Tensione Drain Source Vds 20 V Dissipazione di potenza 1.25 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 850 mV Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (17-Jan-2023)
Altri termini di ricerca: Transistor di potenza, MOSFET, transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, TAIWAN SEMICONDUCTOR, TSM2314CX RFG, 1864589, 186-4589
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