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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 20V; 4,9A; 800mW; SOT23


Quantità:  pezzo  
Informazioni sul prodotto
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 20V; 4,9A; 800mW; SOT23
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 20V; 4,9A; 800mW; SOT23
N. Articolo:
     5068-TSM2314CX-RFG
Produttore:
     Taiwan Semiconductor
N. Art. Produtt.:
     TSM2314CX RFG
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Produttore: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Montaggio: SMD
Corpo: SOT23
Tensione drenaggio-fonte: 20V
Corrente di drenaggio: 4,9A
Resistenza nello stato di conduzione: 33mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 0,8W
Polarizzazione: unipolare
Carico della porta: 14nC
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±12V
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