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NEXPERIA BSS138P,215 MOSFET, CANALE N, 60V, 0.36A, SOT23


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N. Articolo:
     8585-1859849
Produttore:
     Nexperia
N. Art. Produtt.:
     BSS138P,215
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.9 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) - Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 360 mA Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor SOT-23 Tensione Drain Source Vds 60 V Dissipazione di potenza 420 mW Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 1.2 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024)
Altri termini di ricerca: SMD transistor, Transistor SMD, Transistori, Transistore, smd transistor, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, NEXPERIA, BSS138P,215, 1859849, 185-9849
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MOSFET Vishay, canale N, 0,052 O, 6,5 A, SO-8, Montaggio superficiale
Vishay
SI4946BEY-T1-E3
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Scheda: universale; multiadattatore; W: 22,8mm; L: 46,72mm
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