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MOSFET Nexperia, canale N, 1,6 Ω, 360 mA, SOT-23, Montaggio superficiale


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N. Articolo:
     3369E-1242291
Produttore:
     Nexperia
N. Art. Produtt.:
     BSS138P,215
EAN/GTIN:
     5059043786599
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
MOSFET a canale N, da 60V a 80V, Nexperia
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
360 mA
Tensione massima drain source:
60 V
Tipo di package:
SOT-23
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
1,6 Ω
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
1.5V
Tensione di soglia gate minima:
0.9V
Dissipazione di potenza massima:
420 mW
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
-20 V, +20 V
Lunghezza:
3mm
Massima temperatura operativa:
+150 °C
Altri termini di ricerca: SMD transistor, Transistor SMD, smd transistor, 1242291, Semiconduttori, Discreti, Nexperia, BSS138P,215
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MOSFET Vishay, canale N, 0,052 O, 6,5 A, SO-8, Montaggio superficiale
Vishay
SI4946BEY-T1-E3
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Scheda: universale; multiadattatore; W: 22,8mm; L: 46,72mm
Roth Elektronik
RE901
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