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STMICROELECTRONICS STQ1HNK60R-AP MOSFET, CANALE N, 600V, 0.4A, TO92


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N. Articolo:
     8585-1752178
Produttore:
     ST Microelectronics
N. Art. Produtt.:
     STQ1HNK60R-AP
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor di potenza
MOSFET
transistor di potenza
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 8 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore foro passante (THT) Tipo di canale canale N Temperatura di esercizio max 150 °C Corrente Continua di Drain Id 400 mA Stile di Case del Transistor TO-92 Tensione Drain Source Vds 600 V Dissipazione di potenza 3 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 3 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024)
Altri termini di ricerca: (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, STMICROELECTRONICS, STQ1HNK60R-AP, 1752178, 175-2178
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