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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 600V; 300mA; Idm: 0,189A; 3W; TO92


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Informazioni sul prodotto
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N. Articolo:
     5068-STQ1NK60ZR-AP
Produttore:
     ST Microelectronics
N. Art. Produtt.:
     STQ1NK60ZR-AP
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: STMicroelectronics
Montaggio: THT
Cassa: TO92
Tensione drenaggio-fonte: 600V
Corrente di drenaggio: 0,3A
Resistenza nello stato di conduzione: 15Ω
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 3W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: Ammo Pack
Carico della porta: 4,9nC
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±30V
Corrente di drain pulsata: 0,189A
Altri termini di ricerca: Transistori, Transistore, transistor di potenza
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