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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 20V; 1,9A; Idm: 8A; 0,625W; SOT23


Quantità:  pezzi  
Informazioni sul prodotto
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 20V; 1,9A; Idm: 8A; 0,625W; SOT23
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 20V; 1,9A; Idm: 8A; 0,625W; SOT23
N. Articolo:
     5068-ZXMN2A01FTA
Produttore:
     Diodes
N. Art. Produtt.:
     ZXMN2A01FTA
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Produttore: DIODES INCORPORATED
Montaggio: SMD
Corpo: SOT23
Tensione drenaggio-fonte: 20V
Corrente di drenaggio: 1,9A
Resistenza nello stato di conduzione: 0,12Ω
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 0,625W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±12V
Corrente di drain pulsata: 8A
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