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MOSFET DiodesZetex, canale N, 225 mΩ, 2,2 A, SOT-23, Montaggio superficiale


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-1220595
Produttore:
     Diodes
N. Art. Produtt.:
     ZXMN2A01FTA
EAN/GTIN:
     5059043137360
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
MOSFET a canale N, da 12 V a 28 V, Diodes Inc
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
2,2 A
Tensione massima drain source:
20 V
Tipo di package:
SOT-23
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
225 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate minima:
0.7V
Dissipazione di potenza massima:
806 mW
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
-12 V, +12 V
Lunghezza:
3.05mm
Massima temperatura operativa:
+150 °C
Numero di elementi per chip:
1
Altri termini di ricerca: Transistor di potenza, MOSFET, SMD transistor, Transistor SMD, Transistori, Transistore, transistor a effetto campo, 1220595, Semiconduttori, Discreti, DiodesZetex, ZXMN2A01FTA
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Scheda: universale; multiadattatore; W: 22,8mm; L: 46,72mm
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