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Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolare; -30V; -156A; 66,6W


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     5068-SIRA99DP-T1-GE3
Produttore:
     Vishay
N. Art. Produtt.:
     SIRA99DP-T1-GE3
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Produttore: VISHAY
Montaggio: SMD
Corpo: PowerPAK® SO8
Tensione drenaggio-fonte: -30V
Corrente di drenaggio: -156A
Resistenza nello stato di conduzione: 2,65mΩ
Tipo del transistor: P-MOSFET
Potenza dissipata: 66,6W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Carico della porta: 260nC
Tecnologia: TrenchFET®
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: -20...16V
Corrente di drain pulsata: -400A
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